期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告:有机材料电子学
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2014, vol.114, no.134 2014, vol.114, no.2 2014, vol.114, no.241 2014, vol.114, no.323 2014, vol.114, no.341 2014, vol.114, no.383
2014, vol.114, no.393 2014, vol.114, no.516 2014, vol.114, no.96

题名作者出版年年卷期
溶液成長法によって作製したPbS薄膜の移動度及びキャリア濃度の成長時間依存性摩須大輝; 高野泰; 石田明広20142014, vol.114, no.96
YAlO_3単結晶基板の表面処理条件の探索とCr_2O_3薄膜の結晶成長林佑太郎; 中村拓未; 隅田貴土; 橋本浩佑; 山本寛; 岩田展幸20142014, vol.114, no.96
LiNbO_3基板上におけるCr_2O_3薄膜の結晶成長および構造解析中村拓未; 林佑太郎; 隅田貴士; 橋本浩佑; 岩田展幸; 山本寛20142014, vol.114, no.96
溶液成長法により作製したn-ZnO/p-CuOへテロ接合の電気的特性の改善-中間層挿入と熱処理寺迫智昭; 村上聡宏; 兵頭篤; 白方祥20142014, vol.114, no.96
フレキシブル透明TFTに向けた低温プロセスZnO薄膜の結晶性評価渡邉拓; Adie Bin Mohd Khafe; 山内博; 國吉繁一; 飯塚正明; 酒井正俊; 工藤一浩20142014, vol.114, no.96
Bi系ペロブスカイト型酸化物人工超格子の磁気的-電気的特性渡部雄太; 及川貴大; 稲葉隆哲; 大島佳祐; 高瀬浩一; 橋本拓也; 山本寛; 岩田展幸20142014, vol.114, no.96
触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてサファイア基板上に堆積した窒素ドープZnO薄膜の成長大橋優樹; 叶内慎吾; 山口直也; 玉山泰宏; 加藤孝弘; 安井寛治20142014, vol.114, no.96
触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnOエピタキシャル膜の結晶構造と転位分布中村友紀; 石塚侑己; 山口直也; 玉山泰宏; 安井寛治20142014, vol.114, no.96
定在波同軸管法を用いたPIM測定における非共振試料の試料長依存性に関する考察森田久美子; 久我宣裕20142014, vol.114, no.96
プリント基板上に設置した対象物の基本力学パラメータの評価方法(5)~固有振動数·減衰比(2)越田圭治; 和田真一; 久保田洋彰; 澤孝一郎20142014, vol.114, no.96
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