容量アレーDACを用いた2次プレディクティブADC


          

刊名：電気学会論文誌
作者：米川陸（青山学院大学大学院理工学研究科）
稲垣雄志（青山学院大学大学院理工学研究科）
井岡恵理（青山学院大学大学院理工学研究科）
高瀬恭英（（株）村田製作所）
松谷康之（青山学院大学大学院理工学研究科）
刊号：730D0087-C
ISSN：0385-4221
出版年：2018
年卷期：2018, vol.138, no.1
页码：29-36
总页数：8
分类号：TN91; TM
关键词：プレディクティブADC；アンプレス；容量アレーDAC；DEM
参考中译：
语种：jpn
文摘：MEMS素子は容量性素子であるため，内部電荷の充放電により出力電圧が変化してしまう。このため，後段のADC等のフロントエンド回路は高入力インピーダンス特性が要求される。この場合，MEMS素子とフロントエンド回路の間に，MOS トランジスタのゲートを入力とした，高入力インピーダンスバッファAMPが必要となる。この増幅器には低雑音，広ダイナミックレンジ，高線形性，高スルーレート特性が要求される。しかし近年CMOSプロセスの微細化に伴い，LSI の低電圧動作が求められており，前述の要求特性を実現することは難しい。本論文では容量アレー荷重回路を入力回路とLMEMS素子との間で電荷の再分布のみを行い，電荷の充放電を行わない高入力インピーダンス2次予測変換型ADC（プレディクティブADC）を提案する。本提案回路を用いるとバッファAMPを不要とすることができる。初めにアナログ増幅器を必要としない1次予測変換型ADC（1次プレディクティブADC）を解説し，その後提案する2次プレディクティブADCを説明する。



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